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Micro LED技术挑战Micro LED显示器有可能吗，业内都在讨论Micro LED技术挑战Micro，led显示屏厂家向您解读是否有可能！
由于Micro LED的特性优良，不论是在高亮度、高对比度、高反应性及省电方面，都优于LCD及OLED，未来将可应用于穿戴式的手表、手机、车用显示器、AR、VR、Monitor 、TV及大型显示器应用。LEDinside分析，Micro LED技术虽面临众多的挑战，对比两年前，目前的技术进展已经进步许多，早期的专利技术已经有实体样品展示机的出现，未来Micro LED商品化的时程将随着Micro LED技术的成熟而进展，另外Micro LED制造流程繁琐及要求更加精细，制程中所使用的原材料、制程耗材、生产设备、检测仪器及辅助治具等，需求规格严谨且精密度相对严格。
Micro LED技术瓶颈分析
目前Micro LED 所面临的技术瓶颈，共区分几个面向，包括磊晶、晶片、巨量转移、全彩化、接合、电源驱动、背板、检测与维修技术，此份研究报告将针对Micro LED技术瓶颈做深入之探讨及分析。
磊晶技术：目前Micro LED磊晶技术的挑战，其一是希望提升波长一致性与厚度均匀性，使得波长更集中，大幅降低磊晶厂的后段检测成本，其二，当LED Chip微缩至100微米以下时，LED Chip周围因切割损伤造成不均匀的问题会造成漏电问题，并影响整体发光特性。
晶片技术：为了符合巨量转移的制程，晶片需经过弱化结构的改变，以利自暂存基板上拾取晶片，并且增加绝缘层避免在转移过程中晶片的受损，以保护及绝缘晶片。
巨量转移技术：拾取放置技术可应用在大于10µm以上之产品，但UPH、转移设备的精准度及稳定度是一大隐忧，流体组装技术可应用在大于20µm以上之产品，虽然可以提升UPH但需要分别转移三次才能完成全彩化目标，激光转移技术可应用在大于1µm以上之产品，但激光设备的价格昂贵，将会造成初期投资的负担。
全彩化技术： RGB晶片的色转换方案，目前在小于20μm的技术上将面临光效率、良率不足等问题，量子点的色转换方案，进而补足在小尺寸色转换不足的技术，但量子点也有部分涂佈均匀性与信赖性等问题产生，须待技术克服。
接合技术：由于Micro LED的晶片过于微小，锡膏金属成份粒径较大，容易造成Micro LED正负极性导通，形成微短路现象，因此黏著技术将会是Micro LED制程关键的挑战，现状Micro LED的Bonding技术有Metal Bump、Glue、Wafer Bonding及Micro Tube四大方向。
电源驱动技术：主动式驱动阵列中，每个像素连接到电路并单独驱动，这样将允许Micro LED以较低的电流工作，同时在整个点亮时间内持续维持亮度，不会有明显的显示亮度损失，但Micro LED驱动电流极小，使得电路设计複杂，驱动电源模组空间佈局将更为密集。
背板技术：背板形式共分为四种型态，玻璃、软性基板、硅基板、PCB等。现阶段以PCB背板应用最广泛，主要是因为其尺寸相容性高，可利用拼接符合各种所需的尺寸，以及可依需求选择符合的基材做相对应的背板。
检测技术： Micro LED应用产品所使用的晶片数量甚多，并且Micro LED模组的光性及电性须正确且快速的判定之下，必须以巨量检测的方式才能减少检测时间及成本，要如何快速且准确的测试出良品是制程的一大问题，也是现阶段Micro LED检测技术瓶颈的主要原因之一 。
维修技术： Micro LED维修方案，现阶段有紫外线照射维修技术、激光融断维修技术 、选择性拾取维修技术、选择性激光维修技术及备援电路设计方案等。
